功率MOSFET 功率MOSFET是电压控制型多数载流子导电器件,开关速度极快,广泛用于中低压高频电力电子装置。
为什么功率MOSFET在低压领域优于IGBT?
提示: 从导通压降和开关速度对比分析。
低压下MOSFET导通电阻极小无IGBT的饱和压降,开关损耗更低。
误区: 功率MOSFET和普通MOSFET完全相同。
事实: 功率MOSFET采用垂直结构可承受更高电压和电流。
问: MOSFET如何防止栅极击穿?
答: 栅源间并联稳压二极管或有钳位保护。- ❌ 误区:功率MOSFET和普通MOSFET完全相同。 ✅ 事实:功率MOSFET采用垂直结构可承受更高电压和电流。
前置依赖: 场效应管、功率二极管
后续延伸: IGBT、宽禁带器件
适合低电压高频开关电源。
耐压越高导通电阻越大。
正温度系数易于并联均流。